【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.07.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22OS1047
利用課題名 / Title
金属酸化物の結晶性及び表面状態の解明
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
ヘテロ成長, 薄膜, 強相関酸化物,X線回折/X-ray diffraction
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
金 庚民
所属名 / Affiliation
大阪大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
阿部真之
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究室では各種金属薄膜の作製と、走査型プローブ顕微鏡による原子分解能測定を行なっている。作製した薄膜の結晶性評価を行う必要があり、本ARIM事業の支援のもと、X線回折装置によるAnatase TiO2薄膜の結晶配向性評価を行なった。
実験 / Experimental
申請者らは、超高真空環境下においてSrTiO3(100)基板上にパルスレーザー堆積法(Pulse Laser Deposition)でAnatase TiO2(001)薄膜を成膜した。本試料は2mm x 10mm x 0.5 mmのサイズの短冊型の試料であり、成長したAnatase TiO2薄膜の結晶配向性を調べるためには2θ-θモードのXRD測定が必要となる。そこで、大阪大学産業科学研究所先端機器室が管理する薄膜 X 線回折装置 リガク “Ultima IV”を用いて、当研究室で作製し持ち込んだAnatase TiO2薄膜に対してXRD測定を行なった。
結果と考察 / Results and Discussion
Anatase TiO2薄膜に対して行なったXRD測定結果を図1に示す。SrTiO3(100),(200),(300)のピークが22.79°, 46.54°, 72.68°付近に強くみられ、Anatase TiO2(004)のピークが37.79°付近に見られた。これらのピーク位置はデータベースと一致する結果となっており、SrTiO3(100)基板上に成膜したAnatase TiO2薄膜が[001]一軸配向で成長していることを示す。以上により、本研究目的であるSrTiO3(100)基板上に成膜したAnatase TiO2薄膜の結晶配向性の評価に成功した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1:SrTiO3(100)基板上に成膜したAnatase TiO2(001)薄膜表面のXRD測定結果。
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件