【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.07.28】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22OS1035

利用課題名 / Title

光活性化ガスセンサ用マイクロLEDの作製

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies

キーワード / Keywords

膜加工・エッチング/Film processing and Etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

Tabata Hiroshi

所属名 / Affiliation

大阪大学

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-111：リアクティブイオンエッチング装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

光源・センサー体型の光活性化ガスセンサの作製をめざして、ガスセンサをマウントさせるためのマイクロLEDを作製することを目的とする。マイクロLEDの表面はセンサ素子との分離のためにSiO₂膜で覆われているが、アノード、カソードにアクセスするためにSiO₂膜に窓を開ける必要があり、そのためのドライエッチング加工を実施した。

実験 / Experimental

SiO₂スパッタ膜（350nm)で覆われたGaN系マイクロLEDのアノード・カソード電極上部にフォトリソグラフィでレジスト窓を形成し、リアクティブイオンエッチング装置（RIE-10NR-NP）を用いて、開口部分のドライエッチングを行った。

結果と考察 / Results and Discussion

エッチングは、エッチングガス（CHF₃/Ar　20/10 sccm）、パワー100Wの条件下で15分間行い、レジスト膜を除去した。ラインプロファイラでエッチング窓の深さを測定したところ、平均深さ352nmであった。エッチング窓からアノード・カソード間に電流を注入し、LEDのIV特性を測定したところ、電流の注入が確認され、正常にコンタクトが取れていることが分かった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

本研究は池谷技術振興財団の助成を受けて行われた。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件