【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.07.28】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22OS1026

利用課題名 / Title

プラズモニックナノ構造の作製とセンサへの応用

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies

キーワード / Keywords

リソグラフィ/Lithography,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,EB

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

菅野 公二

所属名 / Affiliation

神戸大学

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-103：超高精細電子ビームリソグラフィー装置
OS-117：EB蒸着装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

波長依存性を有する近赤外線光吸収体をSi-MEMSセンサに集積した近赤外線センサの実現を目的に，ナノスケールのグレーティング構造の作製を電磁ビーム描画装置と電子ビーム蒸着装置を用いて行った。

実験 / Experimental

Si基板上に電子ビームリソグラフィを用いてレジストパターンを作製し，それを用いてSiのエッチングを行った。数百nmの溝を有するラインアンドスペースのナノパターンを作製した。ラインの間隔は500～2000nmとした。その後，電子ビーム蒸着装置を用いてCrとAuの薄膜によりグレーティング構造を被覆した。最後に，SiまたはSiNにより構造を被覆した。作製した構造の反射スペクトルを分光光度計により測定した。

結果と考察 / Results and Discussion

作製した構造をSEMで確認したところ，電子ビームリソグラフィとエッチング工程でラインの幅が小さくなったが，グレーティング構造ができていることを確認した。その後，反射ペクトルを評価した結果，吸収ピークが確認できたとともに，ラインの間隔によって吸収ピークが長波長側にシフトする結果が得られた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件