利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.07.28】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22OS0013

利用課題名 / Title

断熱材の微細構造解析

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion

キーワード / Keywords

電子顕微鏡/Electron microscopy,コンポジット材料/ Composite material


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

木村 洋介

所属名 / Affiliation

㈱ジェイテクトサーモシステム

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術相談/Technical Consultation


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-001:3MV超高圧電子顕微鏡


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

セラミクス系コンポジット材料のTEM-EDS解析

実験 / Experimental

成形体の構造解析をSEM-EDSおよびTEM-EDSにより行った。前処理条件としてはエタノールと純水の2種で分散させ、エタノール側は自然乾燥、水側は加温機で120℃で2時間乾燥させて試料とした。

結果と考察 / Results and Discussion

<SEM-EDS>
・一次粒子径100nm程度のシリカ粒子が観察された。・10nm程度のシリカ粒子も一部観察された。・SiCは六方晶であることが分かり、薄層構造が観察された。<TEM/EDS>・SiCの表面はアモルファスカーボン、グラファイトで被覆されていた。・SiCと酸化鉄以外は、含まれる元素はSi,Al,Ca,Oのみであった。Alは固溶はしておらず120nm程度の塊を含んでいた。・10nm程度のシリカ間の架橋構造の中に、Caの存在は確認できなかった。 一方、酸化カルシウムもしくは水酸化カルシウムの3~5nmの粒子が観察された。【考察】・高分解能像からは、SiCは六方晶の周期構造が長く、8Hとか6Hであると推察される。・Caはシリカ粒子間の架橋構造中には固溶せず、酸化カルシウムもしくは水酸化カルシウムの状態で存在していると推察される。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

ご相談に乗っていただいた市川教授、佐藤准教授に厚く御礼申し上げます。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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