【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.07.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22OS0006
利用課題名 / Title
超高圧TEMを用いた半導体デバイスの故障解析
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,電子顕微鏡/Electron microscopy,集束イオンビーム/Focused ion beam
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
髙田 里菜
所属名 / Affiliation
ローム㈱
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体デバイスのショート・リーク不良症状を捉える為に、Emission解析により特定された箇所について厚さ4μm程度のサンプル作製を行い、加速電圧2MVの超高圧電子顕微鏡を用いて観察を実施致しました。
実験 / Experimental
サンプルについて半導体デバイスのリーク箇所について、FIBにより膜厚を4μmで仕上げを実施致しました。次いで2MVの超高圧電子顕微鏡（H-3000）により晶帯軸入射での観察だけでなく、Tiltをかけることで3Dトモグラフィーによる観察を行いました。
結果と考察 / Results and Discussion
厚さ4μmのサンプルについてH-3000で観察することによりデバイスのSi中のP-Nジャンクションを橋渡しするような転位を確認致しました。
転位の入り方から、リークに繋がる転位であると考えられます。
更に、サンプルがバルク状であることを活かして3Dトモグラフィーの構築を可能としたことから、
より具体的な転位の状況を把握するとともに、断面のみならず平面TEMへのサンプルの再加工・観察を行う事が可能となり
TEM観察の可能性が広がったと考えられます。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
本研究は、大阪大学超高圧電子顕微鏡センターマテリアルリサーチインフラの支援を受けて実施されました。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件