利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.07.28】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22OS0006

利用課題名 / Title

超高圧TEMを用いた半導体デバイスの故障解析

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

電子顕微鏡/Electron microscopy,電子顕微鏡/Electron microscopy,集束イオンビーム/Focused ion beam


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

髙田 里菜

所属名 / Affiliation

ローム㈱

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-001:3MV超高圧電子顕微鏡


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

半導体デバイスのショート・リーク不良症状を捉える為に、Emission解析により特定された箇所について厚さ4μm程度のサンプル作製を行い、加速電圧2MVの超高圧電子顕微鏡を用いて観察を実施致しました。

実験 / Experimental

サンプルについて半導体デバイスのリーク箇所について、FIBにより膜厚を4μmで仕上げを実施致しました。次いで2MVの超高圧電子顕微鏡(H-3000)により晶帯軸入射での観察だけでなく、Tiltをかけることで3Dトモグラフィーによる観察を行いました。

結果と考察 / Results and Discussion

厚さ4μmのサンプルについてH-3000で観察することによりデバイスのSi中のP-Nジャンクションを橋渡しするような転位を確認致しました。
転位の入り方から、リークに繋がる転位であると考えられます。
更に、サンプルがバルク状であることを活かして3Dトモグラフィーの構築を可能としたことから、
より具体的な転位の状況を把握するとともに、断面のみならず平面TEMへのサンプルの再加工・観察を行う事が可能となり
TEM観察の可能性が広がったと考えられます。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

本研究は、大阪大学超高圧電子顕微鏡センターマテリアルリサーチインフラの支援を受けて実施されました。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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