【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22UT1195

利用課題名 / Title

次世代電子デバイスのための2次元材料の研究

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

２次元材料,CVD,ナノシート/ Nanosheet

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

董 翰霖

所属名 / Affiliation

東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

Chien-Chih Tseng

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-202：高輝度In-plane型X線回折装置
UT-704：高密度汎用スパッタリング装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

材料合成プロセスで使う銅基板の結晶面を調べるためにXRD分析を行った。

実験 / Experimental

銅ホイルとタングステンホイルを一緒に加熱することで銅薄膜をタングステンホイルに成長させ、その後XRDでその銅薄膜の結晶性を調べた。

結果と考察 / Results and Discussion

XRDの結果として上面では全ての場所での銅薄膜が(111)面を向いていることがわかった。タングステンホイルのなめらかな表面で高温下で加熱することで銅の面に熱力学的な変化が生じることがわかった。次のステップとして生成した単結晶銅薄膜を用いて2次元絶縁体であるhBNをCVDプロセスで成長しその質を見る。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件