【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1194
利用課題名 / Title
単結晶圧電薄膜を用いたＭＥＭＳの研究
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
強誘電体材料・デバイス,圧電・焦電材料,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,スパッタリング/Sputtering,PVD,MEMSデバイス/ MEMS device,IoTセンサ/ IoT sensor
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
吉田 慎哉
所属名 / Affiliation
芝浦工業大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
勅使河原明彦
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Ｓｉ基板上に堆積したＰＺＴなどの単結晶圧電薄膜に電極を形成し、高性能な超音波デバイスや音響デバイスなどの圧電ＭＥＭＳを作製する。超音波デバイスの応用としては、レンジファインダーや生体認証システムなどがあげられる。また、音響デバイスでは、共振型質量センサなどへの応用が期待される。
実験 / Experimental
単結晶圧電薄膜が形成された８インチウエハを、弊学保有の加工装置に適用可能なサイズにするために、ブレードダイサーを用いて２ｃｍ角基板に切断した。
結果と考察 / Results and Discussion
大口径ウエハは、破損等なく切断された。これにより、小型の微細加工装置を用いて、超音波デバイスや音響デバイスを開発できるようになった。
今後は、ＡＲＩＭ保有のリソグラフィ装置やエッチング装置も利用しながら、デバイスの開発を行っていく予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件