【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.18】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1183
利用課題名 / Title
シリコン深掘エッチングの品質向上(3)
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/Film processing and Etching,高品質プロセス材料/ High quality process materials
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
菱沼 慶一
所属名 / Affiliation
富士フイルム株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコン構造体に高い応力のかかるMEMSデバイスの実現のために、2020年より東京大学微細加工プラットフォームの高速シリコン深掘りエッチング装置を利用して、シリコンエッチング側壁の品質向上を継続している。これまでにシリコン深掘エッチング時に発生するピットなどの欠陥を極力抑え、側壁の凹凸形状（スキャロップ）のピッチを低減化し、エッチング側壁の品質を向上してきた。今年度はさらなる改善のために、側壁に発生する縦筋(Striation)を抑制する活動を行った。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】高速シリコン深掘りエッチング装置
【実験方法】シリコン基板上にフォトレジストマスクパターンを形成し、深掘りエッチングを行った。エッチングレシピは、エッチングステップとデポジションステップを繰り返すが、本実験では、Etching前にGas置換を行うことでDepo GasによるMask形成を抑制し、縦筋の発生防止を試みた。
結果と考察 / Results and Discussion
以下に今回の実験で得られたシリコン構造体のSEM写真を示す。Fig.1がエッチングレシピ改善前、Fig2.がエッチングレシピ改善後の例である。数多く発生していた縦筋は、レシピ改善後ほぼ無くなっていることが確認された。 今回の縦筋抑制化により、より高い応力に耐えるデバイスを実現することができたが、面内均一性に課題があり、現在改良のために活動を継続している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 エッチングレシピ改善前
Fig2. レシピ改善後
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
三田吉郎准教授、Eric Lebrasseur様（東京大学超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点）に深く感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件