【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1168
利用課題名 / Title
SEM観察によるAl膜パターンの断線調査
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
走査型透過電子顕微鏡、Al膜,電子顕微鏡/Electron microscopy,高品質プロセス材料/ High quality process materials
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
古賀 拓哉
所属名 / Affiliation
tei Solutions
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Al膜を用いたパターンを作製したが電気試験を行ったところ、断線が疑われる測定値が出ていた。顕微鏡による暗視野検査では問題なさそうであったが、東京大学の高性能SEMをお借りしてSEM観察を行った。観察の際にAl膜のダメージを最小限にするために加速電圧を1kVに設定して観察を実施したところ、2層の配線が重なる部分にて断線を確認。
実験 / Experimental
日立ハイテクノロジーズ製Regulus 8230の4インチステージに4インチウェハを装着して加速電圧1kVに設定し、低倍率でパターンを探して、パターンが見つかったら高倍率に変更して配線パターンに欠損がないか確認を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
高倍率でSEM観察を行ったところ、Fig.1の写真でも分かるようにAl膜配線の2層が重なって膜厚が厚くなっている部分で、上層配線の断線を確認した。EBにてパターンの描画を行ったが、EB用のネガレジストがAl膜のドライエッチングに耐えらえなかった可能性がある。他に耐性が高いネガレジストがないか検討を行う。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件