【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1133
利用課題名 / Title
SiおよびGeウエハ深掘りエッチング
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
メタサーフェイス,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,EB,メタマテリアルメタマテリアル/ Metamaterial
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
冨士 航
所属名 / Affiliation
株式会社タムロン
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
李潔、岩見健太郎
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-500：高速大面積電子線描画装置
UT-501：卓上アッシング装置
UT-603：汎用高品位ICPエッチング装置
UT-604：高速シリコン深掘りエッチング装置
UT-900：ステルスダイサー
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコンおよびゲルマニウム上にサブ波長構造体によるメタサーフェイス構造を形成。従来の材料では実現できない機能の発現を目指し、EB露光、深掘りエッチング、ステルスダイサ―の条件出しを実施した。
実験 / Experimental
HMDS処理した4インチシリコンウエハ及び3インチGeウエハに、レジストOEBR-CAN040T2 PEをスピンコートし、高速大面積電子線描画装置F5112を用いて露光後、現像を実施した。その後アッシング装置 SAMCO FA-1を用いて、残渣レジストを除去。汎用高品位ICPエッチング装置および高速シリコン深掘りエッチング装置を用いて深掘りエッチング条件出しを実施した。ウエハを所定のサイズに切り出すため、DISCOステルスダイサ―装置を使用した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1のエッチング後の外観とFig.2の断面SEM写真とEDAX分析結果に示すように、電子線レジストとGeウエアのエッチングによって、飛散・生成した物質(硫化ゲルマニウムとレジスト)が再度ウエハ上に堆積したと考えられる結果となった。堆積物がマスクになり、深堀りエッチングが進行した影響で、針状の順テーパー条件となった。次回はエッチング時間とパッシベーション時間の割合を変更し、逆テーパー条件で実施を予定する。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 3inch wafer of Ge wafer after etching.
Fig.2 SEM Image of Ge wafer after etching
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・令和4年度JST ASTEPトライアウト採択「波長分離メタレンズによる長波長赤外線カラーカメラ」 ・東京農工大学の岩見健太郎様に、心より感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件