【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1117
利用課題名 / Title
Cu表面上における有機Cu錯体の吸着特性
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
X線回折/X-ray diffraction,スパッタリング/Sputtering,PVD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
百瀬 健
所属名 / Affiliation
東京大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
呉宇軒
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-711：LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019)
UT-202：高輝度In-plane型X線回折装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
近年の半導体集積回路の微細化進展により，極薄膜形成技術として原子層堆積(ALD)法が注目されている。ALDは，原料ガスの表面飽和吸着を用いることにより，1原子層ずつ薄膜を形成する手法であり，膜厚の制御性や均一性，段差被覆性などに優れる特長がある。上記特長を達成するためには，基材表面への原料の吸着特性が重要である。本研究では，Cu-ALDの原料として用いられるCuアセチルアセトナート(Cu(acac)2)やCuテトラメチルヘプタンジオナト(Cu(tmhd)2)のCu(111)面への吸着特性を検討し，理想的ALDの達成を目指した。
実験 / Experimental
サファイア基板上に，LL式高密度汎用スパッタリング装置(芝浦メカトロニクス，CFS-4EP-LL)を用いて，Cu膜を堆積した。得られたCu膜をX線回折(XRD)(リガク，SmartLab)を用いて配向性を測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
図1にサファイア基板上に堆積したCu膜のXRD測定結果を示す。得られたCu膜は(111)配向と(100)配向の2つが存在していた。我々は本研究に先立ち，Cu(111)上へのCu(acac)2やCu(tmhd)2の吸着特性を量子化学計算を用いて検討した。その対応として，実験においてもCu(111)上への吸着特性を測定すべきところが，本実験で得られたCu膜の配向性は不十分であった。今後は，(111)配向のCu膜を得るべく，下地の依存性やアニール処理について検討を行う。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. Cu膜のXRD測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 呉宇軒，佐藤登，山口潤，出浦桃子，百瀬健，霜垣幸浩，"密度汎関数法によるCu (111)表面におけるCuアセチルアセトナートの解離吸着に関する研究"，化学工学会第53回秋季大会(長野)，令和4年9月14日
- 呉宇軒，佐藤登，山口潤，百瀬健，霜垣幸浩，"密度汎関数法によるビス(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト)銅(II)の銅(111)表面への吸着に関する研究"，化学工学会第88年会(東京)，令和5年3月15日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件