【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1115
利用課題名 / Title
Siウエハのステルスダイシング
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
切削・ダイシング、光学デバイス,膜加工・エッチング/Film processing and Etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
犬飼 晃司
所属名 / Affiliation
JSR株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
非接触・デブリフリーでダイシングを行うためのステルスダイシング
背景: 光学デバイスへの応用を目的として高分子塗布基板の特性を調査している。光学特性評価のため基板を破断する必要があるがブレードダイシングでは塗布材料へのダメージがあったため、今回ステルスダイシングの活用を検討した。
実験 / Experimental
ステルスダイサー（DISCO社製 DFL7340）を用いてPMMA薄膜が成膜された3インチSiウエハから2x2cm小片7点を切り出せるようレーザー加工を実施。貼付したエキスパンドテープを引き延ばすことで小片へ割断した。
結果と考察 / Results and Discussion
小片化したPMMA薄膜付きSi基板を光顕観察したところ、ダイシングによるデブリの付着やPMMA薄膜の劣化・欠陥は確認されず、所望通りの結果を得た。一方Siウエハの加工条件をそのまま石英基板へ適用しようと試みたがレーザー光源が適切ではないため石英ウエハのステルスダイシングは見送った。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
基板破断前後の膜特性変化
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件