【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.04.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1114
利用課題名 / Title
人工ナノ構造を用いた広帯域集光素子の作製
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
フォトニクス、メタサーフェイス、メタレンズ,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,メタマテリアル
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
本橋 和也
所属名 / Affiliation
株式会社小糸製作所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
日角公紀
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-503：超高速大面積電子線描画装置
UT-608：汎用NLDエッチング装置
UT-711：LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019)
UT-855：高精細電子顕微鏡
UT-906：ブレードダイサー
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
近年、サブミクロンの誘電体ナノ構造を用いて、レンズのような光学素子の機能を実現するメタサーフェス、メタレンズが、新たな光波制御技術として注目されている[1]。本研究では、誘電体メタレンズを自作するための要素技術開発として、微小なナノ円柱構造の作製を行った。
実験 / Experimental
合成石英基板上に誘電体膜をLL式高密度汎用スパッタリング装置にて作製し、高速大面積電子線描画装置を用いて、目的とする微細構造の形状を描画する。現像後、イオンシャワー、リフトオフ装置でCrマスクを作製し汎用NLDエッチング装置を用いて誘電体を深堀する。作製した構造は、高精細電子顕微鏡を用いて観察する。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig1に示すように、ドライエッチング後、直径約300nm、高さ1200 nmの誘電体ナノ円柱が形成されていることが電子線顕微鏡観察によって確認することができた。今後は、この構造を素子口径全体にわたって形成し、光学作製を進めて行く予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig1. SEM image of fabricated dielectric nano pillar
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・参考文献[1]: M. Khorasaninejad and F. Cappaso,
Science 358, 6367 (2017)
・共同研究者：小西 邦昭(東京大学大学院理学系研究科)
石田裕之(株式会社小糸製作所)
・藤原誠様、水島彩子様の技術支援に感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件