利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.12】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22UT1104

利用課題名 / Title

波長計測デバイスの作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

スパッタリング/Sputtering,EB,高品質プロセス材料/ High quality process materials


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

太田 涼介

所属名 / Affiliation

東京大学工学部

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

米谷玲皇(東京大学大学院新領域創成科学研究科)

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-711:LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019)
UT-704:高密度汎用スパッタリング装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

SnO2薄膜を利用した光波長センサデバイスを作製した。この作製では主に、LL式高密度汎用スパッタリング装置(CFS-4EP-LL),高密度汎用スパッタリング装置(CFS-4ES)を使用した。

実験 / Experimental

SiO2/Si基板上に電子ビームリソグラフィーにより形成されたレジストパターンに対して、LL式高密度汎用スパッタリング装置(CFS-4EP-LL),或いは高密度汎用スパッタリング装置(CFS-4ES)を用いてSnO2膜を製膜し、リフトオフを行うことにより、SnO2からなる波長センサパターンを作製した。その後、電子ビームリソグラフィー,スパッタリング,リフトオフプロセスにより、Ptからなる電極をSnO2上に作製し、波長センサを作製した。

結果と考察 / Results and Discussion

Fig. 1に波長センサ作製結果となる光学顕微鏡写真を示す。SnO2膜からなる受光部が2つのPt電極に挟まれた構造となる。このように、先述したプロセスによりSnO2を受光部として有する波長センサデバイスの作製を達成した。光波長は光の基礎物性であり、様々なアプリケーションへの展開が期待される。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1 SnO2-based wavelength sensing device


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 太田涼介, 割澤伸一, 米谷玲皇, “二酸化スズの吸光特性を利用した波長センサ”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16a-B410-7, 2023年3月16日
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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