【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1096
利用課題名 / Title
Micro patterning for biphilic surface creation
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
表面処理、親水疎水,リソグラフィ/Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
MOUTERDE Timothee
所属名 / Affiliation
工学系研究科機械工学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコンウェハー上にミクロスケールで親水疎水パターンをつけるため、レジストのパターニングを東京大学武田CRのレーザー直接描画装置DWL66+で行った。
実験 / Experimental
ネガティブレジストをスピンコーティングで塗布し、照射した部分を残すことでマスクパターンを構成した。
結果と考察 / Results and Discussion
DWL66+の主にHigh-resと 4 mm のヘッドを用いて照射を行い、マスクを得た。1µm程度のパターンではマスクの剥離が起きたが、2µm以上のパターンでは見られなかった (図１、図２）。パターンが数µm程度のため、現像の際は照射部分の剥離が起きないように時間に注意して行ったが、結果としてレジストは問題なく残った。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図2. (a) シリコンウェハー上の四角いメッシュ上に配置された円盤からなるフォトレジストパターン。(b) バイフィリックパターン上の水の結露。結露はフォトレジストで覆われていた親水性領域に優先的に現れる。(c) 結露のためのダブルパッチフォトレジストパターン。(d) 疎水性ナノコーン上の親水性ダブルパッチからなるバイフィリック表面上の結露。
図1. 凝縮実験用バイフィリック表面の作製プロセス
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件