【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.04.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1088
利用課題名 / Title
ドライエッチング後のレジスト剥離
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
形状・形態観察、表面処理,リソグラフィ/Lithography,高品質プロセス材料/ High quality process materials
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
五十川 健
所属名 / Affiliation
AGC株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
小野英紀
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-503：超高速大面積電子線描画装置
UT-506：枚葉式ZEP520自動現像装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Si基板上に成膜した金属膜材料表面に対して、レジストパターニングした後にドライエッチングを実施。金属膜表面上に残ったレジストの剥離方法について評価した。
実験 / Experimental
自社にてSi基板上に金属膜を成膜した試験薄膜試料にZEP520-7を6000回転60秒でスピンコート、180℃で5分ベーキング後、超高速大面積電子線描画装置F7000Sで描画し、枚葉式ZEP520自動現像装置ADE-3000Sで60秒現像することで、レジストパターンを形成した。その後、自社のエッチャーで、ドライエッチングを行い、金属膜表面上に残ったレジストの剥離を試みた後、レジスト残渣の有無をSEMで確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
レジスト剥離工程前後におけるラインスペースパターンのSEM観察結果をFig1.に示す。レジスト剥離溶液は、ジメチルアセトアミド(DMAC)を用いており、常温(25度)で20分間超音波洗浄を行った結果、スペース部分にレジスト残渣が残ったことを確認した。その一方、液温を60度まで昇温した上で、20分間超音波洗浄を行った結果、レジスト残渣は見られなかったことを確認した。エッチング処理中は、試料表面の温度が上昇し、レジストが固着したため、常温の剥離液では、剥離しにくくなったものと考えられる。このようなことから、エッチング処理後、溶液でレジストを剥離する際は、予め昇温させてから、処理する必要があることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SEM observation results after resist strip processes
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
学術支援専門職員・藤原誠様に、レジスト剥離溶液を紹介いただきました。感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件