利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.04.27】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22UT1088

利用課題名 / Title

ドライエッチング後のレジスト剥離

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

形状・形態観察、表面処理,リソグラフィ/Lithography,高品質プロセス材料/ High quality process materials


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

五十川 健

所属名 / Affiliation

AGC株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

小野英紀

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-503:超高速大面積電子線描画装置
UT-506:枚葉式ZEP520自動現像装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

 Si基板上に成膜した金属膜材料表面に対して、レジストパターニングした後にドライエッチングを実施。金属膜表面上に残ったレジストの剥離方法について評価した。

実験 / Experimental

 自社にてSi基板上に金属膜を成膜した試験薄膜試料にZEP520-7を6000回転60秒でスピンコート、180℃で5分ベーキング後、超高速大面積電子線描画装置F7000Sで描画し、枚葉式ZEP520自動現像装置ADE-3000Sで60秒現像することで、レジストパターンを形成した。その後、自社のエッチャーで、ドライエッチングを行い、金属膜表面上に残ったレジストの剥離を試みた後、レジスト残渣の有無をSEMで確認した。

結果と考察 / Results and Discussion

 レジスト剥離工程前後におけるラインスペースパターンのSEM観察結果をFig1.に示す。レジスト剥離溶液は、ジメチルアセトアミド(DMAC)を用いており、常温(25度)で20分間超音波洗浄を行った結果、スペース部分にレジスト残渣が残ったことを確認した。その一方、液温を60度まで昇温した上で、20分間超音波洗浄を行った結果、レジスト残渣は見られなかったことを確認した。エッチング処理中は、試料表面の温度が上昇し、レジストが固着したため、常温の剥離液では、剥離しにくくなったものと考えられる。このようなことから、エッチング処理後、溶液でレジストを剥離する際は、予め昇温させてから、処理する必要があることが分かった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1 SEM observation results after resist strip processes


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

 学術支援専門職員・藤原誠様に、レジスト剥離溶液を紹介いただきました。感謝いたします。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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