【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.04.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1083
利用課題名 / Title
石英基板の微細加工評価
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
石英,プラズマエッチング,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,高品質プロセス材料/ High quality process materials
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
大町 修
所属名 / Affiliation
株式会社ディスコ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
大浦 幸伸
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
厚さ6.35 mmの石英基板（24 mm角）の表面に面内で均一な深さの溝を形成するために、汎用平行平板RIE装置で加工を試みた。しかし、エッジ効果により基板中心部に比べ周辺部では溝が深くなった。今回、サンプル基板周辺を同じ厚さのダミー基板で囲うことでエッジ効果を抑制し、均一な深さの溝を形成できるかを検証した。
実験 / Experimental
厚さ6.35 mmの石英基板（24 mm角）を汎用平行平板RIE装置 (RIE-10NR) で加工し、加工溝深さの面内分布を評価した。Fig. 1 に示す単体の時（A）と同じ厚さのダミー基板で囲った時（B）の2条件で設置し、エッチング条件は RF_パワー 120 W、圧力3.0_Pa、ガス流量 CF4_4 sccm + CHF3_36 sccm、加工時間_15分で同時に加工した。
結果と考察 / Results and Discussion
基板 A・B それぞれの中心を基準とし、 X軸方向の深さの分布を比較したグラフを Fig.2 に示す。基板を単体で設置した A の場合は、基板中心から外周部に向かって深さが1.5倍以上深くなる結果になった。一方、周囲を同じ厚さのダミー基板で囲った B の場合は、面内でほぼ均一な深さ分布になった。
結果から、基板周辺を同じ厚さのダミー基板で囲うことでエッジ効果を抑制できることがわかった。また、今回の加工条件においては、均一な深さの溝を形成するためには、周囲に少なくとも 12 mm 以上の幅のダミーを設置する必要があることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Installation situation of substrate
Fig. 2 depth distribution
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件