【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1078
利用課題名 / Title
SiO系材料のエッチング形状の制御法開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光学素子,膜加工・エッチング/Film processing and Etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
松原 礼高
所属名 / Affiliation
古河電気工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
小林 剛
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
光学部品に使用する目的で、ドーパントを添加したSiO2ガラスをエッチングするための研究を行う。光学部品の高機能化、小型化、低コスト化を実現するためにSiO2ガラスに添加するドーパントの種類、濃度を変更した場合、純粋なSiO2ガラスと比較して難エッチング材料となる場合があり、その際にはエッチング条件の最適化が必要となる。本検討では、エッチング条件を変更した際の挙動を確認するために、SiO2ガラスのエッチングを行った。
実験 / Experimental
ICPドライエッチング装置を用いて、レジストマスクを上面に形成したSiO2ガラスのエッチングを実施し、エッチングレートと形状の評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
酸化膜ドライエッチング装置において、SiO2ガラスをエッチングした際のエッチングレートに関して調査した。下記条件でのsampleNo.1(ドーパントなし)とNo.2(ドーパントあり)エッチングレートはそれぞれ、0.64μm/min、0.36μm/minであった。この結果からNo.2のエッチングレートはNo.1に対して半分以下となった。また、形状に関してはNo.1はほぼ垂直にエッチングできたのに対して、No.2は台形状のエッチング形状となることが分かった。そのため、今回の条件はドーパントありのSiO2ではデバイスを作るためには更なる条件の最適化が必要となっている。
Table 1 Etching rate for various etching condition sample CF4 CHF3 Ar Press Antenna/Bias Etching rate sccm sccm sccm Pa W um/minNo.1 9 18 32 0.5 1800/200 0.64
No.2 同条件 0.36この結果を元に、今後は更なる条件(ガス流量、圧力、RF出力等)を振って調査を行う予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Table 1
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件