利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22UT1078

利用課題名 / Title

SiO系材料のエッチング形状の制御法開発

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

光学素子,膜加工・エッチング/Film processing and Etching


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

松原 礼高

所属名 / Affiliation

古河電気工業株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

小林 剛

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-603:汎用高品位ICPエッチング装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

光学部品に使用する目的で、ドーパントを添加したSiO2ガラスをエッチングするための研究を行う。光学部品の高機能化、小型化、低コスト化を実現するためにSiO2ガラスに添加するドーパントの種類、濃度を変更した場合、純粋なSiO2ガラスと比較して難エッチング材料となる場合があり、その際にはエッチング条件の最適化が必要となる。本検討では、エッチング条件を変更した際の挙動を確認するために、SiO2ガラスのエッチングを行った。

実験 / Experimental

ICPドライエッチング装置を用いて、レジストマスクを上面に形成したSiO2ガラスのエッチングを実施し、エッチングレートと形状の評価を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

酸化膜ドライエッチング装置において、SiO2ガラスをエッチングした際のエッチングレートに関して調査した。下記条件でのsampleNo.1(ドーパントなし)とNo.2(ドーパントあり)エッチングレートはそれぞれ、0.64μm/min、0.36μm/minであった。この結果からNo.2のエッチングレートはNo.1に対して半分以下となった。また、形状に関してはNo.1はほぼ垂直にエッチングできたのに対して、No.2は台形状のエッチング形状となることが分かった。そのため、今回の条件はドーパントありのSiO2ではデバイスを作るためには更なる条件の最適化が必要となっている。
Table 1 Etching rate for various etching condition sample  CF4       CHF3    Ar          Press     Antenna/Bias     Etching rate              sccm      sccm      sccm      Pa          W                        um/minNo.1      9            18          32          0.5         1800/200             0.64 No.2      同条件                                                                         0.36この結果を元に、今後は更なる条件(ガス流量、圧力、RF出力等)を振って調査を行う予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Table 1


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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