利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.26】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22UT1060

利用課題名 / Title

ナノ構造パターニングに用いるマスターモールドの作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

フェーズシフトマスク,電子顕微鏡/Electron microscopy,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,高品質プロセス材料/ High quality process materials


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

石河 泰明

所属名 / Affiliation

青山学院大学

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

中原一輝,遠藤康佑

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-503:超高速大面積電子線描画装置
UT-600:汎用ICPエッチング装置
UT-855:高精細電子顕微鏡


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

フェーズシフトマスクに対して入射した光の回折効果により形成する3次元周期的ナノ構造体の作製において、周期性を改良したナノ構造体形成を目指している。フェーズシフトマスクの形成にはそのマスターモールドとなる基板を設計・作製しなければいけないが、本課題では、既に設計したマスターモールド構造の作製を試みた。エッチング条件および電子線描画のドーズ量を最適化することで、設計値に近いマスターモールド構造を形成することができた。

実験 / Experimental

SOI基板に塗布したレジストを超高速大面積電子線描画装置(F7000S)でパターニングした。現像後、汎用ICPエッチング装置(CE-300)にてCHF3およびSF6によるエッチングを行い(Power: 30 W (Bias)/50 W (Antenna)、Pressure: 0.8 Pa)、高精細電子顕微鏡(Regulus 8230)を用いて作製した構造を観察した。

結果と考察 / Results and Discussion

ドーズ条件等により形成されるナノ構造サイズが変わるため、様々な設計値およびドーズ量で検討を行った。その結果、想定の構造にサイズに最も近いマスターモールドが得られた(Fig. 1)。低いドーズ量にすると、形成された構造サイズ分布も大きく、構造の変形も確認された。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1 SEM image of the fabricated master mold. (a) less exposure dose (40 μC/cm2), (b) optimum exposure dose (60 μC/cm2).


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

本研究は、科研費(No.20H02621)により支援を受けた。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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