【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1057
利用課題名 / Title
探針への金属薄膜の成膜
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,ナノフォトニクスデバイス/ Nanophotonics device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
成瀬 誠
所属名 / Affiliation
東京大学大学院情報理工学系研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
水島彩子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-711：LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019)
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
近接場光を用いてナノ領域において特定の波長の光を局所的に電場増強するため、波長に対応する金属薄膜をタングステン製の探針に対し東京大学武田先端知の設備を利用して金、およびアルミニウムの薄膜の成膜を行った。
実験 / Experimental
タングステン細線を電解研磨により先端曲率半径を10 nm程度まで先鋭化した。作製した探針を先端が飛び出すように配置し、ガラス基板上で挟み込んだ。LL式高密度汎用スパッタリング装置（CFS-4EP-LL i-Miller）を用いて金属薄膜を成膜した。その後、共同研究を行なっている山梨大学所有の電子顕微鏡を用いてプローブの先端の観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
ガラス基板に取り付けたプローブに対し表裏面で2度イオンスパッタを行うことでプローブ全面において金属膜が成膜するようした。Fig. 1に金属薄膜を成膜したプローブの電子顕微鏡像を示す。Fig.1(a)は金を成膜したものである。先端曲率半径は約48 nmであった。また、Fig. 1(b)はアルミニウムを成膜したものである。先端曲率半径は約40 nmであった。金をコートしたプローブ表面は滑らかであり、密度が高く成膜できている。また、アルミニウムを成膜したプローブ表面では粒状の構造が見られており、金に比べプローブへの吸着力が低いと考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SEM image (a) Gold-coated tungsten probe (b) Aluminum-coated tungsten probe
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件