【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.04.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1012
利用課題名 / Title
マイクロ波共振器を用いた物性測定
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
マイクロ波、超伝導体,高周波デバイス/ High frequency device,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
井手上 敏也
所属名 / Affiliation
東京大学物性研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
田中未羽子
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-505：レーザー直接描画装置 DWL66+2018
UT-606：汎用平行平板RIE装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
SI基板上のMoRe薄膜（超伝導体）をリソグラフィ、エッチングしてマイクロ波共振器を作成した。
実験 / Experimental
MoReがスパッタされた基板にレーザー直接描画装置で共振器パターンを描き、平行平板RIE装置でエッチングをすることでマイクロ波共振器を作成した。
結果と考察 / Results and Discussion
フォトリソグラフィでは金属表面で焦点ずれの問題があったが描画前に焦点合わせを行い描画中は高さを固定することで描画が均一に行える。エッチングでは基板のSiをエッチングしないようにMoReのエッチングレートをAFMを使って測定し、MoReのみが確実にエッチングされる条件を確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
MoRe薄膜をエッチングして作製したマイクロ波共振器
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件