【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22AT0436

利用課題名 / Title

プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)で堆積したSiO₂薄膜の均一性

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

SiO2薄膜,薄膜均一性,TEOS

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

太田 裕之

所属名 / Affiliation

産業技術総合研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

黒澤 悦男

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-081：プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

　ナノプロセシング施設（NPF）を利用して半導体デバイスを試作する準備の一環として、【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)を利用して、SiO₂薄膜を堆積した。成膜トレー内の薄膜の均一性を確認したので成膜結果を報告する。

実験 / Experimental

　利用した装置は、【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)である。
　まず、片面鏡面研磨の直径2インチのシリコン基板を8枚準備し、成膜チャンバー内のトレーに図１のように置いた。数字を振っているシリコンウエハーがデバイス試作用であり、Dの文字はダミー基板である。
　成膜レシピはNPFが保有する標準SiO₂成膜レシピであり、成膜温度は350℃、堆積時間は3分、目標膜厚は200nmとなる。CVD用の原料はTetraethyl orthosilicate（Si(OC₂H₅)₄, TEOS）である。
　成膜後、光干渉式膜厚測定装置（ナノスペック、NPF施設外装置）を用いてSiO₂薄膜の膜厚を測定した。

結果と考察 / Results and Discussion

　上記の結果より、1～5のどの位置でも概ね目標とする膜厚が得られること、均一度も問題ないことが分った。しかしDのところにおいたウエハーについては目視でも色ムラがあり2インチウエハであれば5枚が同時成膜の最大枚数ということも分った。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1　成膜トレー上のウエハー配置（下：ロードロック室側）

表1　各ウエハーの平均膜厚と膜厚ばらつき

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

今後、今回の成果を利用して新規半導体デバイスの試作を進めていく予定である。

謝辞
本研究はJSPS科研費基盤S（20H05649）の支援により実施した。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件