【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0211
利用課題名 / Title
電子ビーム描画装置を用いたシリコン光共振器作製プロセスの検討
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光共振器,光リング共振器,光実装技術,シリコン光導波路,
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
林 翔平
所属名 / Affiliation
東京理科大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
辻 祐樹,禹 泰圭,板谷 太郎
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
データセンターの高度化と拡張に伴い、光実装技術の高度化と普及が進展している。光実装の高度化において、シリコン光導波路は、基幹部品としての地位を確立しつつあり、今後の更なる市場展開が期待されている。本報告では、シリコン光導波路を用いた波長フィルターの一種である、光リング共振器を形成するための、電子線描画法を用いた微細パターンの形成プロセスに関して報告を行う。
実験 / Experimental
NPFでは、【NPF001】電子ビーム描画装置(CRESTEC)を利用した。プロセスは以下の表１に示される条件で行った。
また、試作を行ったリング共振器の構造を図１に示す。
線幅425nmの導波路から、線幅360nmのリング導波路導波路直径は40µm、gapは250nmである。
結果と考察 / Results and Discussion
試作した電子線レジストの導波路構造に対する光学顕微鏡写真を示す（図２）。設計通りの構造が得られていることが確認できた。また、リング導波路を中心に、レジストの残膜のような構造を確認した。これは、露光時間の長さや、現像時間の短さに起因するものだと考えられるため、今後のプロセスの改善が課題となる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Table.1 Details of EB process
Fig. 1 Schematic view of the Si Ring Modulator
Fig. 2 Image for the resist pattern
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
今後は、プロセスの確立と、このプロセスを利用したシリコン光導波路の試作を行う予定である。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件