【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.30】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0283
利用課題名 / Title
3C-SiCのホール特性
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
SiC, ホール特性
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
佐沢 洋幸
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
3C-SiC単結晶のホール特性の極低温での磁場強度依存性を評価した．3C-SiCの極低温度におけるホール特性を測定することで界面における電子挙動を理解できる．さらには次世代向け高性能トランジスタが可能となる．これまで3C-SiCの極低温におけるホール測定の報告例は極めて少なく、測定できればインパクトが大きい．
実験 / Experimental
・【NPF085】物理特性測定装置(PPMS)
磁場強度0-14T、温度1.9Kでホール抵抗を測定した．
図1のような形状の試料を作製し測定を行った．素子構造はファンデルポー構造とした．端子はAlのボンディングワイヤーとした．結晶はワックスで固定した．
結果と考察 / Results and Discussion
シグナルのSNが悪く意味のある結果が得られなかった．いびつなサンプル形状からくるデバイスの対称性の悪さが主な原因であると思われるが、測定上のノウハウ的な条件も大きく影響していると思われる．磁場および温度の変化時に電流値が安定するまでのホールド時間に最適化が必要と思われた．配線もローレンツ力を受けることによる変形や微細な振動のことを考慮し、材質、太さなどに改善検討が必要であると推測された．サンプルを固定するワックスも常温時に固定されてから低温冷却中に動くためか、ワイヤー断線をもたらすことがあった．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 Alボンディングワイヤーでファンデルポー接続した試料
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件