【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0255
利用課題名 / Title
アルミナ膜特性評価
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
アルミナALD膜,IV特性,絶縁破壊
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
仲村 慎之介
所属名 / Affiliation
京セラ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
浅尾 英章
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
アルミナALD膜の作製条件とリーク電流との関係を把握するために、Si基板上に成膜したALD膜のIV評価を行った。
実験 / Experimental
4インチp型シリコンウエハに下記装置でアルミナをALD成膜した。
【NPF099】サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]
【NPF105】ピュアオゾン供給装置
(どちらも22/08/03～11/1使用 支援種別：技術代行1)
表1と図1にサンプルの作製条件と断面模式図を示す。
結果と考察 / Results and Discussion
図2は各サンプルを3回評価したときのIV特性である。絶縁破壊が起こる電圧は、-25V～-30V付近であることがわかった。
アニール品（No.2）はアズデポ品（No.1, No.3）と比べ、-20V付近のリーク電流値が大きかった。また、アズデポ品No.1と3は-20V付近のリーク電流値に大きな変化が見られなかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1 サンプルの作製条件
図1 作製したサンプルの断面模式図
図2 各サンプルのIV特性評価結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
ウエハ洗浄は【NPF015】酸アルカリドラフトチャンバー_1を利用した。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件