【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.31】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0247
利用課題名 / Title
熱酸化膜の膜厚測定およびXPS測定
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
3 次元実装,チップ積層化技術
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
菊地 広
所属名 / Affiliation
ヤマハロボティクスホールディングス(株)
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
菱沼隼,戸張優太
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-063：分光エリプソメータ
AT-074：エックス線光電子分光分析装置(XPS)
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体の性能向上とコストダウンを牽引してきた前工程の微細化が限界に近づきつつある中、次なる性能向上として半導体後工程による性能向上が期待されている。特に3 次元実装などのチップ積層化技術は近年急速に適用を拡大し、NAND Flash やDRAM などのメモリに多用されるようになっているが、近年ロジックLSI などへの適用も始まり、接合ピッチの更なる微細化、接合抵抗の低抵抗化による高速信号伝送性能の向上が求められており、それを実現する高性能な実装技術の要求が高まっている。今回、次世代実装技術の開発に使用する熱酸化膜付ウエハの作成を産総研にて行ったため、完成品の解析を行った。
実験 / Experimental
産総研にて成膜をした熱酸化膜の状態を確認するために【NPF063】分光エリプソメータを用いて熱酸化膜の膜厚を測定した。Waferの中心を0 mmとしてCenter (0 mm), Middle (75 mm), Edge (140 mm)の3カ所を測定した。また、表面状態の確認を目的に【NPF074】X線光電子分光分析装置を使用した。
結果と考察 / Results and Discussion
表1に膜厚測定例を示す。分光エリプソメータの測定誤差としては±0.15 nm程度が見込まれるため、Edgeにかけて膜厚が厚くなるような傾向が得られた。図1にX線光電子分光分析測定例を示す。シリコン(Si2pと2s)および酸素(O1s)のピークが確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1 膜厚測定例 (単位：nm)
図1 XPS測定例
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
今後も、分光エリプソメータおよびX線光電子分光分析装置を活用し、次世代実装技術開発用サンプルの測定/分析を行っていく。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件