【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.31】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0245
利用課題名 / Title
基板上への微細Al電極作成
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
Al微細パターン,ポジレジストPFI-38A7,ZPN-1150-90
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
丹野 雅行
所属名 / Affiliation
信越化学工業㈱
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
佐々木 寛和
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本検討では、電子デバイス用6インチ基板上に0.4～0.6μｍ程度の線幅のAl微細パターン形成し、さらに同基板上の所望位置にAlのPad電極を形成した。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】
【NPF011】i線露光装置
【実験方法】
露光工程に産業技術総合研究所ナノプロセシング施設のi線露光装置を用い、同所の技術代行を含む下記のプロセスを検討した。
・検討プロセス
基板へのAl
製膜→レジスト塗布→プリベーク→i線露光装置による露光（1層目）→ポストベーク→現像→レジストハードニング→反応性エッチング→レジスト剥離→レジスト塗布→プリベーク→i線露光装置による露光（2層目）→ポストベーク→現像→Al 製膜→リフトオフ。
ここで、前記i線露光装置による露光は、1層目は基板上にファインピッチのレジストを解像させ、2層目の露光ではウエハアライメントにより所望位置に逆テーパ形状のレジスト層を形成した。
1層目のレジストは住友化学ポジレジストPFI-38A7、2層目のレジストは日本ゼオンZPN-1150-90を用いた。
また、Al成膜・反応性ドライエッチング・レジスト剥離・リフトオフは東北大試作コインランドリーにて実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
本検討で得られた0.38μｍ線幅のファインピッチを含むAl微細パターン形成例をFig.1に示す。１層目のAlは0.14μｍ厚、２層目のAl Padは0.6μｍ厚である。また、基板サイズ6インチのシリコンウエハ上に、所望のパターンを基板面全面に解像することができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Finished Al pattern on a substrate. （line width = 0.38μm）
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・本検討でご指導いただきました増田 賢一氏（産業技術総合研究所 TIA推進センター）に深謝します。
・他のナノテクプラットフォーム支援機関の利用：
東北大学ナノテク融合技術支援センター （課題番号：F-22-TU-0007）
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件