利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.07.28】【最終更新日:2023.05.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22AT0215

利用課題名 / Title

ITO薄膜の成膜

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)次世代バイオマテリアル/Next-generation biomaterials(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

細胞観察,培養,ヒト脳腫瘍細胞株,U-87細胞


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

上野 秀貴

所属名 / Affiliation

産業技術総合研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-025:スパッタ成膜装置(芝浦)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

 複数の細胞の中から、個別の細胞を培養、操作、観察するには、個別の細胞の接着領域を制限する微細パターンが必要である。また、細胞観察時に微細パターンが細胞の蛍光観察を阻害しない必要がある。今回、微細パターンを構築する材料として選定した酸化インジウムスズ(ITO)の薄膜を産業技術総合研究所ナノプロセシング施設の設備を利用して成膜した。

実験 / Experimental

利用した主な装置:
・【NPF025】スパッタ成膜装置(芝浦) 

実験方法: 
 洗浄したガラス基板を持参し、ITOの成膜をスパッタ成膜装置を用いて行った。ITOを成膜した基板を持ち帰り、フォトリソグラフィ・エッチングなどの半導体加工技術を用いてパターニングすることで、細胞の接着領域を決定する微細パターンを作製した。フォトリソグラフィ・エッチングなどの半導体微細加工では、ARIM事業実施機関である香川大学の設備も利用した。加工したITO薄膜上にヒト脳腫瘍細胞株であるU-87細胞を播種し、蛍光観察を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

 スパッタリング成膜後のガラス基板を観察するとITOの薄膜が均等に成膜されていた。さらに、加工したITO基板上に蛍光たんぱく質を有したU-87細胞を播種し基板裏面側から観察すると、ITOを通してU-87細胞からの蛍光を観察することができた(図1)。今後、本基板を用いて細胞の接着領域を評価する実験を行う予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1 ITOパターン上に接着したU-87細胞の蛍光画像


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

他に利用したARIM事業実施機関(香川大学:JPMXP1222GA0086)。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:1件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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