【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0174
利用課題名 / Title
KNN薄膜上へのP-CVDによるSiO2薄膜形成
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
(K,Na)NbO3（KNN）,鉛フリー圧電薄膜
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
黒田 稔顕
所属名 / Affiliation
株式会社サイオクス
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
現在、(K,Na)NbO3（以降KNNと記載）鉛フリー圧電薄膜のウエットエッチングを行う場合、P-CVD-SiO2薄膜をマスク材として用いている。今回は、従来とは異なる装置で製膜したP-CVD-SiO2薄膜でも同様にKNNウエットエッチングのマスク材として機能するかを確認した。
実験 / Experimental
KNN薄膜[2μm]/Pt[200nm]/ZnO[25nm]/SiO2[200nm]/Siウエハ上に産総研【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN）を用いて膜厚500nmのSiO2薄膜を製膜した。SiO2製膜は基板温度350℃の条件を行った。
その後、（株）サイオクスの設備で、フォトレジスト（OFPR）パターン形成、SiO2薄膜のエッチング、KNN薄膜ウエットエッチング（HEDP+H2O2+NH4OH溶液中で60min浸漬）を実施し、上記SiO2薄膜がエッチングマスクとして使えるかどうかを確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1にSiO2薄膜（350℃）を用いてKNN薄膜をエッチングしたウエハの写真を示す。
SiO2（350℃）薄膜マスクで、ウエハ全面で綺麗にKNN薄膜のエッチングが実現できていた。
また、エッチングでパターン加工されたKNN薄膜上に500μmφのPt上部電極[100nm]を形成し、KNN膜の絶縁耐圧（I-V）特性を評価した。その結果、I-V特性は、パターン加工無しのKNN膜上に形成した500μmφPt上部電極の場合とで違いは見られなかった。このことから、P-CVD-SiO2（350℃）膜はKNN膜のウエットエッチングマスクとして問題なく機能することが確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Etched KNN wafer using SiO2 mask deposited at 350℃
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件