利用報告書 / User's Report | ARIM Japan公式ホームページ_マテリアル先端リサーチインフラ

【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22AT0174

利用課題名 / Title

KNN薄膜上へのP-CVDによるSiO₂薄膜形成

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

(K,Na)NbO3（KNN）,鉛フリー圧電薄膜

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

黒田稔顕

所属名 / Affiliation

株式会社サイオクス

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-081：プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

　現在、(K,Na)NbO₃（以降KNNと記載）鉛フリー圧電薄膜のウエットエッチングを行う場合、P-CVD-SiO₂薄膜をマスク材として用いている。今回は、従来とは異なる装置で製膜したP-CVD-SiO₂薄膜でも同様にKNNウエットエッチングのマスク材として機能するかを確認した。

実験 / Experimental

　KNN薄膜[2μm]/Pt[200nm]/ZnO[25nm]/SiO₂[200nm]/Siウエハ上に産総研【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN）を用いて膜厚500nmのSiO₂薄膜を製膜した。SiO₂製膜は基板温度350℃の条件を行った。
　その後、（株）サイオクスの設備で、フォトレジスト（OFPR）パターン形成、SiO₂薄膜のエッチング、KNN薄膜ウエットエッチング（HEDP+H₂O₂+NH₄OH溶液中で60min浸漬）を実施し、上記SiO₂薄膜がエッチングマスクとして使えるかどうかを確認した。

結果と考察 / Results and Discussion

　Fig.1にSiO₂薄膜（350℃）を用いてKNN薄膜をエッチングしたウエハの写真を示す。
　SiO₂（350℃）薄膜マスクで、ウエハ全面で綺麗にKNN薄膜のエッチングが実現できていた。
　また、エッチングでパターン加工されたKNN薄膜上に500μmφのPt上部電極[100nm]を形成し、KNN膜の絶縁耐圧（I-V）特性を評価した。その結果、I-V特性は、パターン加工無しのKNN膜上に形成した500μmφPt上部電極の場合とで違いは見られなかった。このことから、P-CVD-SiO₂（350℃）膜はKNN膜のウエットエッチングマスクとして問題なく機能することが確認できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig.1 Etched KNN wafer using SiO₂　mask deposited at 350℃

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件