【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0168
利用課題名 / Title
NRAM用カーボンナノチューブの評価
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
カーボンナノチューブ(CNT), NRAM
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
萬谷 光
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
CNTは単一CNT、バンドル、膜等マルチスケールな内部構造を持ち、半金ＣＮＴ、長さ、形状、接点構造、結晶性、表面状態など多種のパラメータを有する。本報告では、NRAM用CNT膜における導電機構の解明に向けて物理特性測定装置(PPMS)を使用し、CNT膜の電気計測を行った。
実験 / Experimental
・利用した主な装置
【NPF085】物理評価測定装置(PPMS)
・実験方法
電気伝導特性の観察の範囲で抵抗測定を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
CNT膜の電気抵抗測定結果をFig.1に示す。温度の低下に従い抵抗が増加する挙動を示した。
また、CNT膜の温度を変化させた電流・電圧特性の測定結果をFig.2 に示す。ほとんどの温度で直線的で、金属的な性質を示した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Temperature dependence of CNT film resistance.
Fig.2 Current-Voltage characteristics
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・共同研究者：産業技術総合研究所 岡崎俊也、森本崇宏、小橋和文
・産業技術総合研究所のナノプロセシング施設の利用にあたり、大塚照久様、山崎将嗣様をはじめ、同施設スタッフの皆様に感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件