【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.30】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0142
利用課題名 / Title
光電子放出材料の複素屈折率測定
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光電子放出,量子ビームプローブ,複素屈折率
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
佐藤 大輔
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
光電子放出とは、各材料固有の仕事関数より高エネルギーの光を外部から照射することで、自由空間に電子を放出する現象である。ここで得られる電子は、その後に高エネルギーに加速することで、高い時空間分解能で物質を観察することができる優れた量子ビームプローブである。本研究では、高効率な電子放出材料の開発に取り組んでおり、その材料性能の評価軸として新たに材料表面の複素屈折率測定に取り組んだ。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】
【NPF063】分光エリプソメータ
【実験方法】
本研究では、2元系化合物の組成比を徐々に変えながら同一基板上に成膜した光電子源膜を測定サンプルに用いた。本研究では、NPF063分光エリプソメータ上の測定台に薄型精密ステージを導入し、測定位置を数100μmピッチで変えながら、組成比ごとの複素屈折率測定を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
測定の結果をFig.１に示す。Position1はIr含有量99%、Position 21はIr含有量50%である。横軸は入射光の波長、縦軸には、屈折率の実部（n）と虚部（k）を示す。測定の結果、波長200 nm ~ 800 nmの複素屈折率測定に成功した。また、組成比ごとの相関を測定することができ、組成比に応じて複素屈折率が大きく変化することが明らかになった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Refractive Index (1) and Absorptance (2) of photocathode.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件