【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.31】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22AT0118

利用課題名 / Title

SOI CMOSにおけるViaコンタクトの導通不良の解析

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ミニマルファブ, SOI CMOS

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

浜本 毅司

所属名 / Affiliation

社団法人ミニマルファブ推進機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-034：集束イオンビーム加工観察装置(FIB)

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

　ミニマルファブで試作を行ったSOI CMOSのアルミ_1配線とアルミ_2配線を接続するViaコンタクトの導通不良の原因を明らかにする目的で、該当コンタクトを、集束イオンビームとアシストガスを用いた犠牲保護膜作製及び集束イオンビームによるエッチング加工を行った後にSIM像による断面観察を行った。

実験 / Experimental

　ミニマルファブで試作を行った4µmサイズのViaコンタクトを【NPF034】集束イオンビーム加工観察装置(FIB)で加工を行い、断面のSIM観察を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

　Fig. 1 に、今回の作製・観察の対象としたミニマルファブ SOI CMOSのViaコンタクト部のSIM像を示す。アルミ_1とアルミ_2の界面、図中に「？」印で示した箇所に、白い薄膜層が観察されており、この薄膜層が非導通の原因である可能性が考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig.1 ミニマルファブ SOI CMOSのViaコンタクト部のSIM像

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件