【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.31】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0118
利用課題名 / Title
SOI CMOSにおけるViaコンタクトの導通不良の解析
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ミニマルファブ, SOI CMOS
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
浜本 毅司
所属名 / Affiliation
社団法人ミニマルファブ推進機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ミニマルファブで試作を行ったSOI CMOSのアルミ_1配線とアルミ_2配線を接続するViaコンタクトの導通不良の原因を明らかにする目的で、該当コンタクトを、集束イオンビームとアシストガスを用いた犠牲保護膜作製及び集束イオンビームによるエッチング加工を行った後にSIM像による断面観察を行った。
実験 / Experimental
ミニマルファブで試作を行った4µmサイズのViaコンタクトを【NPF034】集束イオンビーム加工観察装置(FIB)で加工を行い、断面のSIM観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig. 1 に、今回の作製・観察の対象としたミニマルファブ SOI CMOSのViaコンタクト部のSIM像を示す。アルミ_1とアルミ_2の界面、図中に「？」印で示した箇所に、白い薄膜層が観察されており、この薄膜層が非導通の原因である可能性が考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 ミニマルファブ SOI CMOSのViaコンタクト部のSIM像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件