【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0089
利用課題名 / Title
CpHf(OtBu)3 + O3でのHfO2膜のALD成膜
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
CpHf(OtBu)3,ALD成膜,ALD Window
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
今瀬 章公
所属名 / Affiliation
株式会社 トリケミカル研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-063：分光エリプソメータ
AT-074：エックス線光電子分光分析装置(XPS)
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
CpHf(OtBu)3とO3でALD成膜を試みた。基板温度に対して成膜レートが上昇する傾向が見られたが、原料暴露量に対しては325℃以下で成膜レートが飽和し、325℃以下ではALDモードになっていると考えられる。
実験 / Experimental
自社製のALD成膜装置を用い、Hf源としてCpHf(OtBu)3、酸化剤としてO3とO2の混合ガスを用いSi基板上へALD成膜を行った。Hf源の暴露量は0.17[torr.sec], O3暴露量は25[torr.sec]とし、基板温度を200℃~400℃の範囲で変えた。また、基板温度を300，325，350℃とした場合において、Hf源の暴露量を変えて成膜を行った。
各試料の膜厚を【NPF063】分光エリプソメータで測定した。また300℃で成膜した試料の組成を【NPF074】エックス線光電子分光分析装置(XPS)を用いて確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
各温度で作製した試料の膜厚から成膜レートと温度の関係を図.1に示す。温度に対して成膜レートが上昇する傾向が見られ、ALD Windowが明らかではない。
また、基板温度を300，325，350℃とした場合の暴露量と成膜レートの関係を図.2に示す。300℃と325℃では暴露量に対して成膜レートが飽和しているのに対し、350℃では暴露量に依存して成膜レートの上昇が見られた。
また、300℃で成膜した試料の膜組成はO:65%, Hf: 26.7%, C: 8.2%であった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図.1 Growth rate vs substrate temperature.
図.2 Growth rate vs Hf source exposure.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件