利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.07.28】【最終更新日:2023.05.26】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22AT0089

利用課題名 / Title

CpHf(OtBu)3 + O3でのHfO2膜のALD成膜

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)その他/Others(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

CpHf(OtBu)3,ALD成膜,ALD Window


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

今瀬 章公

所属名 / Affiliation

株式会社 トリケミカル研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術補助/Technical Assistance(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-063:分光エリプソメータ
AT-074:エックス線光電子分光分析装置(XPS)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

 CpHf(OtBu)3とO3でALD成膜を試みた。基板温度に対して成膜レートが上昇する傾向が見られたが、原料暴露量に対しては325℃以下で成膜レートが飽和し、325℃以下ではALDモードになっていると考えられる。

実験 / Experimental

 自社製のALD成膜装置を用い、Hf源としてCpHf(OtBu)3、酸化剤としてO3とO2の混合ガスを用いSi基板上へALD成膜を行った。Hf源の暴露量は0.17[torr.sec], O3暴露量は25[torr.sec]とし、基板温度を200℃~400℃の範囲で変えた。また、基板温度を300,325,350℃とした場合において、Hf源の暴露量を変えて成膜を行った。
 各試料の膜厚を【NPF063】分光エリプソメータで測定した。また300℃で成膜した試料の組成を【NPF074】エックス線光電子分光分析装置(XPS)を用いて確認した。

結果と考察 / Results and Discussion

 各温度で作製した試料の膜厚から成膜レートと温度の関係を図.1に示す。温度に対して成膜レートが上昇する傾向が見られ、ALD Windowが明らかではない。
 また、基板温度を300,325,350℃とした場合の暴露量と成膜レートの関係を図.2に示す。300℃と325℃では暴露量に対して成膜レートが飽和しているのに対し、350℃では暴露量に依存して成膜レートの上昇が見られた。
 また、300℃で成膜した試料の膜組成はO:65%, Hf: 26.7%, C: 8.2%であった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図.1 Growth rate vs substrate temperature.



図.2 Growth rate vs Hf source exposure.


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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