【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22AT0079

利用課題名 / Title

MEMS構成でのTa₂O₅膜評価

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

Ta2O5膜,MEMS構造体,耐圧,TCR

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

行藤 敏克

所属名 / Affiliation

株式会社シリコンセンシングプロダクツ

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-031：原子層堆積装置_1[FlexAL]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

　Ta₂O₅膜を絶縁膜に使用したMEMS構造体のメンブレン耐圧・配線TCR測定評価及び膜応力を確認した。

実験 / Experimental

・【NPF031】原子層堆積装置[FlexAL]

・絶縁膜にTa₂O₅膜を使用したMEMSを作製。作製したMEMSをメンブレン耐圧測定・配線TCR測定を実施。
　その結果を確認する事によりMEMSデバイスの性能を評価する方法である。

結果と考察 / Results and Discussion

　測定した結果、メンブレン耐圧以外は良好な結果となった。しかし、メンブレン耐圧が設計値より低い事から改善が必要となった。
　メンブレンの膜構成は、SiO₂/Al₂O₃/Ta₂O₅の構成としておりSiO₂/Al₂O₃は成膜条件に制限がある。
　Ta₂O₅の膜応力を変更する事で耐圧を上げる事が可能と考えており継続したテスト行う。
　測定結果をTable 1.2.3に示す。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Table 1 Ta₂O₅膜応力

Table 2 配線TCR・メンブレン耐圧測定結果

Table 3 配線抵抗値測定結果

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件