【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0063
利用課題名 / Title
ステッパ露光適用によるセンサの高精度化検証
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
MEMSセンサ
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
仕立 博康
所属名 / Affiliation
パナソニック インダストリー株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
MEMSセンサの高精度化に向けた開発を行っている。2019年度に露光装置を産総研NPF様のi線ステッパに切り替えるなどの検討を行い、想定通りの素子特性を得ることができた。2020年度より、デバイスの小型化と素子特性向上を狙いとした活動に取り組み、2022年度も継続して検討を行っている。
実験 / Experimental
【利用した装置】
・【NPF011】i線露光装置
・【NPF091】自動塗布現像装置
【実験方法】
使用ウエハ
・酸化膜付きφ4”-Siウエハ（加工形状確認用）
・酸化膜付きφ4”-SOIウエハ（本素子形成用）
工程
・レジスト塗布（自動塗布現像装置） PFI-89B4、粘度21cP
・露光（i線露光装置） 230msec
・現像（自動塗布現像装置）
・酸化膜ドライエッチング CHF3+Arガス
・Si異方性ドライエッチング Boschプロセス
・レジスト除去 O2アッシング
・酸化膜除去 BHF浸漬、Vapor-HFによる犠牲層エッチング
結果と考察 / Results and Discussion
小型化したデバイスの素子特性向上を図るべく、狭Gap化した配線パターンを設計しデバイス試作を実施した。Fig1にステッパ露光・現像後の配線パターン画像を示す。パターン寸法は設計値通りに加工されており、面内バラツキについても特に問題はない。
引き続き酸化膜ドライエッチングおよびSi異方性ドライエッチングし素子特性を確認したところ、特性値が想定より低くなっていることが判明した。今後要因となるBoschプロセスの加工レシピの最適化検討を行い、目標とする素子特性値の向上に向けた取組を引き続き継続していく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig1（左）. Photolithography pattern images of Si electrode
Fig1（右）. Photolithography pattern images of Si electrode
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件