【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22AT0051

利用課題名 / Title

プラズマCVDにおけるSiO₂成膜レートの基板枚数依存性

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

成膜レート,バラツキ,GaN基板

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

藤田 高吉

所属名 / Affiliation

京セラ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

澤田 達郎,山﨑 剛,葛西 駿,和田 竜垂

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-030：プラズマCVD薄膜堆積装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

　プラズマCVD装置のステージは試料サイズΦ8インチまで対応のため、Φ2インチ基板を複数枚置いて同時にSiO₂成膜できれば、効率的である。しかし、ロットごとに成膜レートにバラツキがあり、そのバラツキが処理枚数に起因すると考え、成膜基板枚数と成膜レートに相関があるか調査した。

実験 / Experimental

【利用した主な装置】
【NPF030】プラズマCVD薄膜堆積装置

【実験方法】
　プラズマCVD装置を用いて、下記条件でΦ2インチGaN基板にSiO₂を100nm堆積させた。顕微式膜厚計により、リファレンスSi上のSiO₂膜厚を測定し、膜厚と成膜時間から成膜レートを算出した。基板の処理枚数を1～5枚まで変化させ、成長レートが基板枚数に依存するか調査した。

結果と考察 / Results and Discussion

　図1に示すように成膜レートのバラツキはあるものの、成膜レートと成膜基板枚数に明確な相関は見られなかった。プラズマ球は圧力などの成長条件によって、大きさ、高さが変化し、プラズマ球が小さくなったり、高くなったりすると基板に原料が集中し、成膜基板枚数と成膜レートに相関が出ると考えられる。今回の結果では、そのような相関は見られなかったため、プラズマ球が十分に広がり、ステージを覆っていたと考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１　成膜レートの成膜基板枚数依存性

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

本知見を得るにあたり協力してくださったナノプロセシング施設（NPF）スタッフの方に厚く御礼申し上げます。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件