【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT0404
利用課題名 / Title
GaN系デバイスの作製・構造評価
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
走査プローブ顕微鏡/Scanning probe microscopy,リソグラフィ/Lithography,EB,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,リソグラフィ/Lithography,EB,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,高周波デバイス/ High frequency device,パワーエレクトロニクス/ Power electronics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
前田 拓也
所属名 / Affiliation
東京大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-503：超高速大面積電子線描画装置
UT-603：汎用高品位ICPエッチング装置
UT-600：汎用ICPエッチング装置
UT-906：ブレードダイサー
UT-307：走査型プローブ顕微鏡
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
2022年度は，窒化ガリウム(GaN)の高電子移動度トランジスタ(HEMT)の作製に向けて，デバイス試作の検討・条件出しに取り組んだ．電子線リソグラフィによる微細パターニングやSF6, Cl2/BCl3によるSiO2, GaNエッチング技術など，要素技術を確立した．2023年度は引き続きデバイス試作に取り組むとともに，試作したデバイスの特性評価を行う．
実験 / Experimental
2022年度は概要の通り，デバイス作製プロセスの条件出しを行なった．
結果と考察 / Results and Discussion
NE-550による反応性イオンエッチングの条件を工夫することで，垂直性・再現性よくGaNをエッチングする技術を確立することができた．現在，GaN HEMTを作製中であり，来年度は試作したデバイスの評価と更に新しい試作を行う予定である．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件