【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT0393
利用課題名 / Title
階層性多孔質(HNL)ガラスの構造分析
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,イオンミリング/Ion milling,ナノ多孔体/ Nanoporuous material
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
萩原 大貴
所属名 / Affiliation
東京大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-101：低損傷走査型分析電子顕微鏡
UT-153：クロスセクションポリッシャー(CP)
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
新しい多孔質ガラス材料として、階層性ナノ多孔層 (Hierarchical Nanoporous Layer)ガラス、通称HNLガラスが近年注目されている。ソーダライムスライドガラスを弱塩基水溶液でエッチング処理することで表面にナノスケールの多孔層を形成した。本研究では既存の手法より簡便に多孔質層を実現できるHNLガラスを用いて、ガラスに触媒を担持させることで機能性材料の創製を目指す。
実験 / Experimental
ソーダライムスライドガラスを0.034 mol/Lのクエン酸二ナトリウム水溶液で満たされた耐圧容器の中に入れ、オートクレーブ装置を用いて120℃で16時間保持し、エッチング処理を行なった。処理後のガラス表面に多孔層ができているかを走査型電子顕微鏡で確認した。さらに、完成したHNLガラスを0.1 mol/Lの硝酸セリウム水溶液中に入れ、１時間含浸させた。その後多孔質層中に満たされたCeイオンを酸化物とするため、450℃で２時間焼成した。取り出した処理後のガラスにCeO2が担持できているかを走査型電子顕微鏡で確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
0.034 mol/Lのクエン酸二ナトリウム水溶液で満たされた耐圧容器の中に入れ、オートクレーブ装置を用いて120℃で16時間保持し、エッチング処理を行なった処理後のガラス表面を観察したところ、20 - 50 nm程度の細孔構造が確認できた。一方Ce含浸後のガラス表面を観察したところ、CeO2の担持による構造の変化は確認できなかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件