【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT0366
利用課題名 / Title
サファイア上の合金を基板とした2次元半導体及び絶縁体の生成
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
X線回折/X-ray diffraction,ナノエレクトロニクスデバイス/ Nanoelectronics device,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
董 翰霖
所属名 / Affiliation
東京大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
Chien-Chih Tseng
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
Kazuhiro Fukawa,Keiko Isagai
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
高品質2次元半導体材料の成長のための高結晶性金属基板が必要であり。XRD分析によって金属基板の結晶性を調べること。
実験 / Experimental
XRD分析
結果と考察 / Results and Discussion
2次元半導体材料のエピタキシー成長のための金属基板には高い結晶性が要求される。様々な条件下でアニーリングされた、金属ホイルの結晶性を確かめるために、XRD分析を行った。結果としては、条件によっては結晶性が悪くアモルファスなものから表面が全て（111）面の単結晶になっているものがあったことがわかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件