利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.30】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22UT0365

利用課題名 / Title

カーボン薄膜や半導体薄膜の光学特性評価

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion(副 / Sub)次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials

キーワード / Keywords

赤外・可視・紫外分光/Infrared and UV and visible light spectroscopy


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

大岩  達典

所属名 / Affiliation

東京大学大学院新領域創成科学研究科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

太田涼介(東京大学工学部),米谷玲皇(東京大学大学院新領域創成科学研究科)

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

小西邦昭

利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術補助/Technical Assistance(副 / Sub),機器利用/Equipment Utilization


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-303:分光エリプソメータ


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

SnO2のアニール処理条件の違いによる光学特性の変化を計測するため、東京大学マテリアル先端リサーチインフラ微細構造解析部門の設備を利用し分光エリプソメトリー計測を行った。

実験 / Experimental

酸化膜付きのSi基板上にSnO2をRFスパッタリングにより成膜した。膜厚は100nmおよび200nmである。その後、200℃、400℃、600℃の温度で 1 時間のアニール処理を行った。続いて、試料を薄膜分光エリプソメータ (M-2000DI-T) を用いて、複素屈折率を測定した。複素屈折率の虚部と膜厚から吸光スペクトルを計算により求めた。

結果と考察 / Results and Discussion

Fig.1 に、アニール処理条件の異なる SnO試料の薄膜分光エリプソメータにより測定した吸光スペクトルを示す。アニール処理条件に応じて SnO薄膜は異なる吸光特性を有することがわかる。特に200℃から400℃の温度で光学特性に変化が生じており、SnO2の微細構造が変化していることが考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1 Absorption spectra of SnO2 thin film with/without annealing treatment


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 太田涼介, 割澤伸一, 米谷玲皇, “二酸化スズの吸光特性を利用した波長センサ”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16a-B410-7, 2023年3月16日
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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