【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.30】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT0365
利用課題名 / Title
カーボン薄膜や半導体薄膜の光学特性評価
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion(副 / Sub)次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
赤外・可視・紫外分光/Infrared and UV and visible light spectroscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
大岩 達典
所属名 / Affiliation
東京大学大学院新領域創成科学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
太田涼介(東京大学工学部),米谷玲皇(東京大学大学院新領域創成科学研究科)
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
小西邦昭
利用形態 / Support Type
(主 / Main)技術補助/Technical Assistance(副 / Sub),機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
SnO2のアニール処理条件の違いによる光学特性の変化を計測するため、東京大学マテリアル先端リサーチインフラ微細構造解析部門の設備を利用し分光エリプソメトリー計測を行った。
実験 / Experimental
酸化膜付きのSi基板上にSnO2をRFスパッタリングにより成膜した。膜厚は100nmおよび200nmである。その後、200℃、400℃、600℃の温度で 1 時間のアニール処理を行った。続いて、試料を薄膜分光エリプソメータ (M-2000DI-T) を用いて、複素屈折率を測定した。複素屈折率の虚部と膜厚から吸光スペクトルを計算により求めた。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1 に、アニール処理条件の異なる SnO2 試料の薄膜分光エリプソメータにより測定した吸光スペクトルを示す。アニール処理条件に応じて SnO2 薄膜は異なる吸光特性を有することがわかる。特に200℃から400℃の温度で光学特性に変化が生じており、SnO2の微細構造が変化していることが考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Absorption spectra of SnO2 thin film with/without annealing treatment
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 太田涼介, 割澤伸一, 米谷玲皇, “二酸化スズの吸光特性を利用した波長センサ”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16a-B410-7, 2023年3月16日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件