利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.12】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22UT0227

利用課題名 / Title

銅合金の構造解析

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

X線回折/X-ray diffraction,電極材料/ Electrode material


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

佐々木  宏和

所属名 / Affiliation

古河電気工業

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

佐々木 颯清

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-202:高輝度In-plane型X線回折装置
UT-451:粉末X線回折装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

近年、スマートフォンなどの電子機器の小型軽量化や高性能化に伴い、それに使用される電子部品も小型かつ高性能なものになっている。これら電子部品のリードやコネクタなどの導通部に使用される銅合金条への要求特性も高まっており、従来材より高強度及び高導電性の材料が望まれている。このような部材への要求特性を満たす銅合金としてCu-Ni-Si合金があり、熱処理により銅母相中にNi-Si系化合物が微細分散する事で強度が向上する事が知られている。今回、銅母相中に形成されるNi-Si析出相を解析する目的で、X線回折法を活用した。

実験 / Experimental

観察試料: CuNiSi合金 
XRD装置: SmartLab (Kα1) 
測定条件2θ: 20~90° 
測定時間: 3時間

結果と考察 / Results and Discussion

XRD測定結果を図1に示す。試料は550℃で熱処理したCu-Ni-Si合金である。測定は、Geヨハンソン型結晶を用いたKα1集中光学系を用いたので、Kα2やKβの影響が除去されており、母相のCuに対して微量の析出相の相同定に有効である。Cuの回折ピークに対して、析出相の回折ピークは2桁程度小さいが、Ni2Si析出相を明瞭に検出することができた。一部、未同定の回折ピークもあるが、Ni2Siが主な析出相であることが明らかとなった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1 XRD pattern of copper alloy 


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

なし


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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