【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.30】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT0217
利用課題名 / Title
撥液性表面の開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
高分子系材料,電子顕微鏡/Electron microscopy,電子分光
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
森永 俊太朗
所属名 / Affiliation
東京大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-101：低損傷走査型分析電子顕微鏡
UT-301：多機能走査型X線光電子分光分析装置(XPS)
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
平滑なSi基板上にPTFEを蒸着した試料について、基板温度と表面構造の関係を調べるため上面および断面をSEMで観察した。また、フッ素含有率や化学結合と基板温度の関係を調べるためXPSによる分析を行った。
実験 / Experimental
劈開により試料に断面を作成しOsのコーティングを行った後、低損傷走査型分析電子顕微鏡（JSM-7500FA）を用いて上面および断面を撮影した。また、多機能走査型X線光電子分光分析装置（PHI500 VersaProbe）を用いて試料表面のC1s、F1sスペクトルを測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig. 1に基板温度150℃で成膜したときのPTFE蒸着膜のSEM画像を示す．上から見ると網目状の構造が形成されていた．断面を観察すると基板に垂直な方向に立っている構造が見られ，この構造が網目の線を形成していると考えられる．基板温度が高いほどこの構造の間隔は広く，一つひとつの構造は大きくなった．XPSによるC1s，F1sピークのナロースキャンの結果，F含有率は約68%であり，これは基板温度によって変化しなかった．C1sスペクトルのピーク分離の結果CF3，CF2，CF，C-CF結合が見られた．Fig. 2に基板温度を変化させたときの各結合の割合の変化を示す．200℃のとき，他の基板温度に比べCF2の割合が高くその他の結合の割合が低くなり，蒸着膜中の分子量が大きくなっていたと考えられる．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 基板温度150℃のときのPTFE蒸着膜上面および断面のSEM画像
Fig. 2 基板温度を変化させたときの化学結合割合変化
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件