利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.12】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22UT0162

利用課題名 / Title

異種材料集積に基づくシリコンフォトニクス

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion(副 / Sub)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed

キーワード / Keywords

赤外・可視・紫外分光/Infrared and UV and visible light spectroscopy,光導波路/ Optical waveguide,光導波路/ Optical waveguide


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

竹中 充

所属名 / Affiliation

東京大学

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

中山 武壽

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-303:分光エリプソメータ


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

InPやInGaAsなどの化合物半導体と金属との合金層の光学的評価を行うため、東京大学の設備を利用して、分光エリプソメトリによる測定を行った。

実験 / Experimental

InP基板やInGaAs薄膜上にNiやAu, Ptなどの金属を堆積したのち、加熱処理でNi-InPなどの合金層を形成した。その後、分光エリプソメトリで合金層の屈折率と消光係数を測定した。

結果と考察 / Results and Discussion

Au-InP合金の評価においては、合金層はAuとInPの中間的性質を持っていることが明らかになった。波長1550 nm付近においては、誘電率の実部が負になることから、表面プラズモンポラリトンの励起が可能であることがわかった。Ni-InP合金においても同様も性質が得られた。一方、Pt-InP合金では、波長1000 nm程度で誘電率が増加に転じ、波長1550 nmでは誘電率の実部が正になることから、表面プラズモンポラリトンの励起には適さないということがわかった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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