【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT0086
利用課題名 / Title
トポロジーや対称性に由来した新しい量子現象の開拓
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
X線回折/X-ray diffraction,スピントロニクスデバイス/ Spintronics device,トポロジカル量子物質/ Topological quantum matter
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高木 里奈
所属名 / Affiliation
東京大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
関真一郎,接待裕生
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
府川和弘,飯盛桂子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究では、系の対称性やトポロジーといった幾何学的な性質に基づいた物質設計を通じて、革新的なスピントロニクス機能を実現することを目指している。近年、ベリー曲率を介して生じる仮想的な磁場に起因した非自明な異常ホール効果を示す反強磁性体が注目を集めている。我々は最近、単純な反平行型反強磁性体FeSにおいて反強磁性秩序に由来する異常ホール効果を室温で観測することに成功した。現在、この物質における様々なスピントロニクス機能の開拓を目指し、単結晶薄膜を用いたデバイス作製を試みている。
実験 / Experimental
成膜条件・アニール条件を変えて作製したFeS薄膜試料の結晶構造・配向を調べるため、高輝度In-plane型X線回折装置 (XRD)を用いて2θ-θ測定を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
測定の結果、今回作製したすべての薄膜試料は、狙った結晶構造の単相試料にはなっていなかったものの、アニール時間・雰囲気を調整することで目的の結晶構造へと変化していくことが示唆された。今後、適切な成膜条件・アニール条件を探索することで、目的物質の単結晶薄膜試料を作製し、デバイス作製・評価を通じてスピントロニクス機能の開拓を目指したい。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件