【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2024.06.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22IT0054
利用課題名 / Title
ワイドバンドギャップ半導体の低温光学特性
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
田原 康佐
所属名 / Affiliation
株式会社豊田中央研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
岩崎孝之
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ワイドバンドギャップ半導体中のカラーセンタ（発光中心）の光学物性を明らかにするためにフォトルミネッセンス（PL）測定を行った。低温で高空間分解能の測定ができるクライオ共焦点顕微鏡を利用することで、個々のカラーセンタのエネルギー準位などを特定することを目指した。
実験 / Experimental
ワイドバンドギャップ半導体材料としてSiCを用いた。材料にカラーセンタを形成する処理を行い、試料を作製した。この試料をクライオ共焦点顕微鏡で測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
試料中の1つのカラーセンタに対し、2つの異なる温度（8.7 Kと31 K）でPLスペクトルを取得することができた。スペクトル中に、室温での測定では見られなかった鋭いピークが観測された。このピークの強度が8.7 Kでより大きくなったことから、ゼロフォノン線（ZPL、フォノンを伴わないカラーセンタの励起状態のエネルギーに相当する発光）の可能性があることが分かった。 一方、ZPLのようなスペクトルが得られなかったカラーセンタもあったため、今後再現性等をより詳しく調べる予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件