【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1268
利用課題名 / Title
コンポジット材料界面の分析技術開発
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
金属,樹脂,コンポジット材料,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,EB,コンポジット材料/ Composite material,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
久保 優吾
所属名 / Affiliation
住友電気工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
大村英治
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-232：真空蒸着装置（１）
KT-233：真空蒸着装置（２）
KT-203：電子線蒸着装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
金属と樹脂や異種金属のコンポジット材料は、エレクトロニクス、情報通信、自動車、航空宇宙など、広い範囲の産業分野で活用され、重要である。その要求特性を実現するためには、異種材料界面の化学状態に関する理解は不可欠である。しかし、界面の酸化物や炭化物の生成機構など、未だに不明点が多い [1]。本研究の最終目的は、真空蒸着、電子線蒸着など薄膜作製手法とドライエッチングなど表面処理手法を用いて界面分析用試料を作製し、様々な異種材料間の界面状態を明らかにすることである。本報告書では、電子線蒸着法でSi基板上にNi、Cr、Ti、Al薄膜（約300 nm）を、基板側からこの順に室温形成し、走査透過型電子顕微鏡（STEM）で断面観察した結果をまとめる。
実験 / Experimental
電子線蒸着法を用い、Si基板上にNi、Cr、Ti、Al薄膜（約300 nm）を、基板側からこの順に形成した。蒸着時の典型的な真空度は約1.0×10-4 Pa、典型レートは0.1~0.3 nm/s（Ni）、0.3～0.5 nm/s（Cr）、0.1～0.3 nm/s（Ti）、1.0 nm/s（Al）であった。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1に、STEM観察結果（(a)：低倍率、(b)：高倍率）を示す。低倍率の結果から、想定通りの多層膜構造が形成されていること、高倍率の結果から、界面に10 nm程度のスケールの凹凸が存在すること、上下の金属の組み合わせにより凹凸の程度が異なることなどが確認される。今後、データの詳細解析を進めると共に、今後は成膜方法や条件による影響を調査していく予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Cross-sectional STEM observations of Al/Ti/Cr/Ni thin films on Si substrate.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件