【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.08】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22KT1247

利用課題名 / Title

高分子材料の表面形状観察

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

形状・形態観察,分析,光活性化接合,光学顕微鏡/Optical microscopy,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

宇都宮 徹

所属名 / Affiliation

京都大学 大学院工学研究科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-306：3D測定レーザー顕微鏡

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

当研究室ではこれまで，真空紫外 (Vacuum Ultraviolet: VUV) 光を用いた光活性化接合について報告してきた[1]．VUV光は雰囲気中の酸素分子により減衰し，活性酸素種を生じる．また，ポリオキシメチレン (POM) にVUV光が直接作用し，表面に深さ1 µm程度のクラックが形成される．そこで本課題では，チャンバー内をN₂パージした際の残存酸素が与える影響を，クラック形成速度という観点から比較し調査する．

実験 / Experimental

POM成形板(SHT-POM Nat)に対し，VUV光（λ＝172 nm）を，N2パージした照射チャンバー内で照射する．連続で照射する系と，10分おきにチャンバー内を乾燥空気でパージし，再びN₂をパージしてから照射する系を用意した．後者の系ではより残存酸素による影響が強くなると考えられる．試料表面形状測定に京都大学ナノテクノロジーハブ拠点の3D測定レーザー顕微鏡（OLS4000-SAT, オリンパス製）を用いた．

結果と考察 / Results and Discussion

Fig. 1にN₂パージ下でPOMにVUV光を連続照射した3Dレーザー顕微鏡像を，Fig. 2に10分おきに乾燥空気をパージした環境での3Dレーザー顕微鏡像を示す．照射時間に対するクラックは変化は見られない事から，残存酸素がVUV光がPOMに直接作用する反応に対する影響は小さい可能性が示唆された．

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig. 1: 3D laser microscopy images of POM irradiated with VUV light for 20 or 30 minutes

Fig. 2: 3D laser microscopy images of POM irradiated with VUV light in nitrogen for 10 minutes, and then fill the chamber with dry air and repeat this process 2 or 3 times.

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

[1] 権田 光宏 他, 表面技術. 72 704-706 (2021).

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件