【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1166
利用課題名 / Title
配向性Pt薄膜の形成
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
磁気メモリ,CoPt,電解めっき,スパッタリング/Sputtering,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高村 陽太
所属名 / Affiliation
東京工業大学 工学院
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
黄童雙,齋藤美紀子,Md Mahmudul HASAN,中川茂樹
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
瀬戸弘之
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-111：ウエハスピン洗浄装置
KT-201：多元スパッタ装置（仕様Ａ）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
次世代磁気メモリの材料として、c軸配向したCoPt薄膜を電解めっきで作製するために、Si基板上にhcpフェーズの001配向CoPt薄膜をめっきで作製するシード層として，111に高配向したPt薄膜を作製する。
実験 / Experimental
ウエハスピン洗浄装置でSi基板を洗浄し，Si基板上にTi/Ptをスパッタ法により作成し、111配向したPt膜15 nmを作製した。その後試料表面を化学的に洗浄し、電解めっき法によりCoPt薄膜を形成した（図 1(a)）。
結果と考察 / Results and Discussion
X線回折測定からPt層が確かに111配向していることを確認した（図 1(b）．
さらに，その上にCoPtを電解めっき法により作製したところ，Co組成が高く，膜厚が薄い領域でhcp相001配向を膜が形成されたことを確認した．
厚い領域では110配向成分も現れたことから，001配向成分がシード層からのエピタキシャル成長により得られていることを示唆する結果も得られた．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図 1 (a) 試料構造 (b) X線回折パターン
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
本研究は、JST 、 CREST 、 JPMJCR21C1 の支援を受けたものである／ものです。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- [1] T. Huang, Y. Takamura, M. Saito, M.-M. Hasan, D. Araki, T. Homma, S. Kasai, K. Yamada, Y. Sonobe, T. Ono, S. Nakagawa, ”Electrophoretically deposited CoPt film for realization of 3D domain wall motion memory,” IEICE Tech. Rep., vol. 122, p.11-16, 2022.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件