【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1159
利用課題名 / Title
Si表面上での高アスペクト比構造構築のための高精細Au/Tiパターンの形成
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
表面処理,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
有馬 健太
所属名 / Affiliation
大阪大学 大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
東 知樹
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
岸村 眞治
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-102：露光装置（ステッパー）
KT-103：レーザー直接描画装置
KT-107：厚膜フォトレジスト用スピンコーティング装置
KT-108：レジスト塗布装置
KT-110：レジスト現像装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
我々は、金属アシストエッチングを用いて、Si上に高アスペクト比な構造を形成することを目指している。今回、京都大学ナノテクノロジーハブ拠点の設備を用いて、Si表面に、Au/Ti薄膜をパターニングするプロセスに取り組んだ。
実験 / Experimental
レーザー直接描画装置を用いて、レチクルに線幅2.5µm間隔でストライプパターンを描画、パターニングした。次に、Si上へAu／Tiを蒸着し、フォトレジストを塗布し、レチクルを用いて縮小露光し、現像を行うことで、線幅0.5µm間隔のレジストのストライプパターンを作製した。レジストで覆われていない部分のAu/Ti をウエットエッチングし、除去した。最後に利用者の所属大学に戻って、レジストをアセトンで除去した。
結果と考察 / Results and Discussion
アセトンを用いてレジストを除去した後のサンプルについて、所属大学にて走査型電子顕微鏡を用いて観察した結果をFig. 1に示す。Fig.1 (i)より、Au/Tiのストライプパターンが、大面積領域において規則正しく整列している様子が分かる。また、拡大図であるFig. 1 (ii)より、Au/Tiのストライプパターンが目標の寸法で作製されていることを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 走査型電子顕微鏡で観察したSi上のAu／Tiストライプパターン （ⅰ）縮小図 （ⅱ）拡大図
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- (1) Higashi, K. Kawai, K. Yamamura, K. Arima, ”Detection of photoelectrons from noble metal catalysts at the bottoms of Si grooves after metal-assisted chemical etching” ICPE2022 (Nara), 令和4年12月1日
- (2) 東知樹，孫栄硯，山村和也，有馬健太、”Si 表面の溝底部に埋め込んだ金属原子からの光電子検出－光電子検出量の脱出角依存性の検討－”2022年度精密工学会秋季大会学術講演会（オンライン）、令和4年9月7日
- (3) 東知樹，孫栄硯，川合健太郎，山村和也，有馬健太、”Si 表面の溝底部に埋め込んだ金属原子からの光電子検出－ 光電子検出量の脱出角依存性の検討－”精密工学会2022年度関西地方定期学術講演会（大阪）、令和4年7月8日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件