利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.05.18】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22KT1141

利用課題名 / Title

排熱利用熱電発電モジュールの研究開発

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion

キーワード / Keywords

BiTeウエハ,熱電発電素子,チップ化,ダイシング,熱電材料/ Thermoelectric material,3D積層技術/ 3D lamination technology


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

南部 修太郎

所属名 / Affiliation

株式会社Eサーモジェンテック

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

トン・バインガルディ

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

大村英治

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-219:ダイシングソー
KT-221:紫外線照射装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

現在、地球上で全一次エネルギー供給量の数十%にも及ぶ莫大な排熱が排気されている。排熱の多くは煙道、排水等のパイプを通じて放出されているので、パイプに密着して装着できるフレキシブルな熱電発電モジュールが熱回収効率を上げる上で有効である。我々はこのようなモジュールを実現するために、性能が良く、実用的なバルク結晶を用いたモジュール構成を考案し、研究開発を行っている。このモジュールの試作のために、京都大学ナノテクノロジー設備供用拠点の装置を利用した。

実験 / Experimental

ダイシング加工において利用した主な装置としてダイシングソー、紫外線照射装置を用いた。BiSbTeおよびBiTeでできた直径30mmΦ、厚さ 2.0mmのNiAu電極付きウエハを250℃×1h大気中加熱処理を行った後、250℃×1h加熱前後のN型ウエハをダイシングテープにマウントし、所定のサイズにスピンドル回転数1万rpm送り速度1mm/secでダイシングを行った(チップサイズ1.4mm×1.4mm)。

結果と考察 / Results and Discussion

Fig.1は250℃×1h大気中熱処理前後のN型ウエハをブレードダイシングした後の外観写真を示す。Fig.1に示すようにN型ウエハはクラック、割れ、電極剥離、チップ飛びがなく、きれいな四角形状で切断されていることがわかった。これは、250℃大気中での熱処理後において、P型より硬度が低いN型でも、母材と電極の密着性が優れていることを示唆しており、このNiAu付きチップは熱電発電モジュールデバイスとして有望な素子と考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig.1 Wafer after Blade Dicing.(a) The N-type polycrystal BiTe wafer with NiAu plating before 250℃×1h atmospheric heating;(b) The N-type polycrystal BiTe wafer with NiAu plating after 250℃×1h atmospheric heating.


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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